Среды пригодные для лазерной генерации

Круг активных сред, пригодных для получения лазерной генерации, быстро расширялся, и только их хронологическое перечисление заняло бы достаточно много места. Поэтому выделим только два события, которые с точки зрения автора заслуживают особого внимания.

 В 1962 г. Н. Г. Басовым была предложена принципиальная схема полупроводникового лазера, которая чуть позднее была реализована на структуре GaAs при 77° К. Привлекательность полупроводниковых лазеров (компактность, высокая эффективность, относительная простота внешней модуляции), или, как их часто называют, лазерных диодов, особенно для систем оптической электроники, стимулировали бурное развитие исследований в этой области.

Следствием этого явилось создание многочисленных полупроводниковых лазерных систем для самых разнообразных сфер применения. Достаточно сказать, что полупроводниковые лазеры составляют около половины (в стоимостном выражении) рынка лазерных систем и их доля возрастает год от года.

ковано сообщение о получении операции на растворе органических красителей. Однако в это же время и совершенно независимо генерация на красителях была получена в Институте физики Академии наук БССР группой ученых под руководством Б. И. Степанова. С этого времени Минск становится (и остается, несмотря ни на что!) одним из признанных мировых научных центров в области лазерной физики, квантовой и нелинейной оптики.

История развития лазеров только начинается. Можно сказать, что в ней написана даже не первая глава, а всего лишь предисловие. Ведь лазерная физика вместе с микроэлектроникой определяют лицо современных наукоемких производств. Причем имеет место уже слияние двух этих направлений и формирование квантовой опто-электроники.